У межах класичної теорії здійснено оцінку поглинення електромагнітного випромінювання маленькими металевими частинками в далекій інфрачервоній області спектра. Одержано задовільне узгодження обчислених та експериментальних частотних залежностей ефективного фактора поглинення срібними, золотими та алюмінієвими частинками. Обговорено залежність поглинення в ближній інфрачервоній області від розміру частинок.

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.2

Рубрики:

Високотемпературна надпровідність. Високотемпературні надпровідники

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.2

Рубрики:

Високотемпературна надпровідність. Високотемпературні надпровідники

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Приведены результаты теоретических исследований поверхности металлов, термодинамических и электрофизических характеристик кластеров атомов и вакансий, кинетических и равновесных свойств низкоразмерных систем и кластерной плазмы паров металлов, процессов рассеяния и локализации позитронов в металлах, жидкостях и кластерах. Описаны деформированная и температурная зависимости работы выхода электронов, выявлен размерный эффект потенциала ионизации и энергии прилипания, поверхностного натяжения. Охарактеризованы принципы низкоразмерных полупроводниковых систем, а также одноэлектронные приборы, ключевыми компонентами которых являются кластеры, молекулы или квантовые точки.

Індекс рубрикатора НБУВ: Р514.31-3

Рубрики:

Гострі респіраторні захворювання (ГРЗ)

Шифр НБУВ: Ж16999 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто двокомпонентну схему кулонівської нестійкості заряджених металевих кластерів. Модель дає різні межові заряди залежно від сорту частинок, що заряджають кластер. Розраховано умови кулонівського вибуху негативно заряджених кластерів срібла, золота та позитивно заряджених кластерів натрію та зіставлено з експериментом.

Досліджено електрострикцію малих металевих частинок, втілених в діелектричну матрицю. Електрострикція виникає внаслідок вирівнювання хімічних потенціалів через перерозподіл електронів між частинками. Обговорено можливість наявності аномалії в електрострикції: деякі частинки можуть стискуватися.

Теоретично досліджено одноелектронні ефекти в структурі з двох послідовно з'єднаних тунельних переходів із урахуванням дискретності спектра центрального кластера-електрода. Обговорено походження струмової щілини, розраховано її величину і асиметрію за напругою.

Роботу виходу електронів, контактну різницю потенціалів і поверхневу напругу пружно деформованих граней кристалів Al, Au, Cu і Zn із діелектричним покриттям розраховано в межах самоузгодженого методу Кона - Шема. Діелектричне покриття зменшує роботу виходу та збільшує контактну різницю потенціалів. Розрахунки продемонстрували протилежні деформаційні залежності роботи виходу електронів і контактної різниці потенціалів. Показано, що вимірювання за допомогою методу Кельвіна контактної різниці потенціалів деформованої грані відповідають не зміні роботи виходу електронів, а зміні значення одноелектронного ефективного потенціалу на площині уявного зображення за поверхнею. Розраховані величини узгоджуються з результатами експериментів для полікристалів і розрахунків із перших принципів.

Поверхностный стресс и контактная разность потенциалов упруго деформированных граней Al, Cu, Au, Ni и Ti кристаллов вычислены с помощью самосогласованного метода Хартри - Фока - Кона - Шема. Расчеты демонстрируют уменьшение/увеличение работы выхода при растяжении/сжатии металлического кристалла. Результаты вычислений указывают, что измерения методом Кельвина контактной разности потенциалов деформированной поверхности соответствуют не изменению работы выхода электронов, а изменению поверхностного значения эффективного потенциала. Полученные величины стресса, работы выхода и контактной разности потенциалов находятся в хорошем согласии с результатами вычислений из первых принципов.

Дан обзор экспериментальных и теоретических исследований структур, содержащих квантовые точки. Рассмотрены эффекты одноэлектронной туннельной зарядки и кулоновской блокады в кластерной структуре с учетом квантования электронных уровней в островковом электроде. Приведены спектры электронов квантовых гранул сферической и дискообразной формы. При условии сохранения полной энергии конструкции с учетом контактной разности потенциалов получены уравнения для анализа вольт-амперной характеристики (ВАХ). В "ортодоксальную" теорию введены ограничения, связанные с кулоновской неустойчивостью кластера и релаксацией электронов. Для одноэлектронных диодов на малых кластерах золота вычислен размер щели тока и ее асимметрия по напряжению. Приведены результаты исследования влияния перегрева электронной подсистемы на кулоновскую блокаду в структуре на металлической грануле-молекуле со счетным количеством атомов. ВАХ туннельных структур рассчитана для разных температурных режимов. Повышение температуры электронной подсистемы кластера приводит к исчезновению токовой щели и сильной сглаженности квантовых и кулоновских ступенек на ВАХ структуры, что и наблюдается в экспериментах.

У наближенні діагонального відгуку одержано формули для оптичної провідності тонких квазіоднорідних металевих плівок, в яких ураховано розмірну залежність рівня Фермі. Розраховано оптичну провідність і коефіцієнт поглинання нанометрових плівок Al, Au і Li.

Індекс рубрикатора НБУВ: К222.063

Рубрики:

Фізичні властивості заліза та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проанализированы виды испытаний интегральных микросхем и существующих планов их контроля. Выбраны планы и показатели качества для включения в программу сертификационных испытаний. Предложены адекватные процедуры статистической обработки результатов испытаний.

Теоретически исследовано состояние позитрона и атома позитрония в вакансии металлов. В модели стабильного желе вычислены энергии связи позитрона в вакансии, а также работы выхода позитрона и позитрония. Расчеты показывают, что для металлов, обладающих отрицательными работами выхода квазисвободного позитрона, наличие вакансий в приповерхностной области приводит к изменению знака работ выхода.

Предложена математическая модель оценки затрат на качество для разных этапов жизненного цикла изделий электронной техники.

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.34

Рубрики:

Феромагнетизм твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

На этапе производства качество интегральных микросхем во многом определяется стабильностью технологических процессов. Для исследования эффективности обнаружения разладок технологических процессов предложено использовать теорию случайного блуждания броуновской частицы. Получены интегральные уравнения Фредгольма 2-го рода для оценки средних длин серий выборок налаженного или разлаженного процессов и вероятности первого выхода траекторий за нижнюю границу.

Поверхностный стресс и контактная разность потенциалов упругодеформированных граней Al, Cu, Au, Ni и Ti кристаллов вычислены с помощью самосогласованного метода Хартри - Фока - Кона - Шема. Расчеты демонстрируют уменьшение/увеличение работы выхода при растяжении/сжатии металлического кристалла. Результаты вычислений указывают, что измерения методом Кельвина контактной разности потенциалов деформированной поверхности соответствуют не изменению работы выхода электронов, а изменению поверхностного значения эффективного потенциала. Полученные величины стресса, работы выхода и контактной разности потенциалов находятся в хорошем согласии с результатами вычислений из первых принципов.

В межах теорії мікромагнетизму вивчено вплив ступеня дисперсності впорядкованого композита, що складається з однакових феромагнітних наночастинок, на його магнітні характеристики. Розрахунки показують різку залежність форми петель магнітного гістерезису від розмірів немагнітних проміжків між наночастинками, характеру побічного обміну між ними і напрямку зовнішнього магнітного поля. З'ясовано механізми, які формують магнітні властивості композита, що дає змогу виготовляти магнітні системи із заданими параметрами.